телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Стоимость
Стоимость по запросу
Специальное предложение
Готово к отгрузке
Производитель
Нитрид галлия относится к третьему поколению полупроводниковых материалов с гексагональной структурой вюрцита. Он обладает такими характеристиками, как большая ширина запрещённой зоны, высокая теплопроводность и термостойкость, радиационная устойчивость, кислото- и щелочестойкость, высокая прочность и твёрдость. Пластины GaN обладают широким потенциалом применения и хорошими рыночными перспективами в области производства синих, зелёных, фиолетовых и белых светодиодов высокой яркости, синих и фиолетовых лазеров, а также радиационно-защищённых, высокотемпературных и высокомощных СВЧ-устройств.
Компания OST Photonics предлагает отдельные пластины GaN размером 2” и 4” для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа GaN: N-типа и полуизолирующие. По запросу также доступны подложки GaN, изготовленные по индивидуальному заказу, и эпитаксиальный GaN на сапфировой подложке.
| Параметр | Значение | |
| Диаметр | 2”, 4” | |
| Толщина | 300±25, 350±25, 400±25 мкм и т.д. | |
| Ориентация | C-плоскость (0001)±0.5° | |
| Тип проводимости | N-type | Полуизоляционный |
| Удельное сопротивление (Ом. см) | <0.5 | >1x10^6 |
| Концентрация дефектов Марко (см-2) | 0 либо <=2 | |
| TTV (мкм) | <=15 | |
| BOW (мкм) | <=20 | |
| Плотность дислокаций (см-2) | <5x10^6 | |
| Полезная площадь поверхности | > 90% | |
| Обработка поверхности | Передняя поверхность: Ra < 0.2 нм (полировка Epi-ready) Задняя поверхность: Тонкая шлифовка |
|
| Паковка | Упаковано в чистых помещениях класса 100 с азотной атмосферой, в отдельные контейнеры для пластин. | |
