Описание
InAs, узкозонный полупроводник с высокой подвижностью электронов, малой эффективной массой и сильным спин-орбитальным взаимодействием, является идеальным материалом для производства высокоскоростных и маломощных электронных , инфракрасных оптоэлектронных устройств и устройств спинтроники. В последние годы применение одномерных нанопроволок InAs в исследованиях топологических квантовых вычислений привлекает особое внимание исследователей.
Компания OST Photonics предлагает пластины InAs размером 2” и 3” для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагается четыре типа InAs: InAs N-типа (нелегированная), InAs N-типа (легированная оловом), InAs N-типа (легированная серой) и InAs P-типа (легированная цинком). Толщина варьируется в соответствии с требованиями клиента. Кроме того, по запросу доступны подложки InAs, изготовленные по индивидуальному заказу.
Сферы применения
- Оптоволоконная связь
- Высокоскоростные и маломощные электронные устройства
- Инфракрасные светоизлучающие устройства
- Квантовые каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона
Преимущества
- Высокая подвижность электронов
- Низкий магниторезистивный эффект
- Малая эффективная масса
- Низкий температурный коэффициент сопротивления
Производимые опции
- Ориентация: <100>
- Размеры: 2”, 3”, 4”, 10x10, 10x5 мм и т. д.
- Толщина: 500 мкм и т. д.
- Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу
Свойства
| Параметр |
Значение |
| Легирование |
Нет |
Sn |
S |
Zn |
| Тип проведения |
N-type |
N-type |
N-type |
P-type |
| Концентрация носителей (см-3) |
5x10^16 |
(5-20)x10^17 |
(1-10)x10^17 |
(1-20)x10^17 |
| Подвижность (см2/V.s) |
≥2x10^4 |
>2000 |
>2000 |
100-300 |
| Плотность дислокации (см-2) |
<5x10^4 |
<5x10^4 |
<5x10^4 |
<5x10^4 |
| Диаметр |
2”, 3” |
| Толщина |
500±25 мкм, и т.д. |
| Ориентация |
<100>±0.5° |
| Поверхность |
Полированная/Травлёная |
| Epi-готовность |
Да |
| Паковка |
Кассета или одинарный контейнер для пластин |
