Пластины SiC OST Photonics

Печать страницы

Стоимость

Стоимость по запросу

Специальное предложение

Готово к отгрузке

Производитель

OST Photonics

Сопутствующие товары
Возникли вопросы?

Описание

Компания OST Photonics предлагает 4-дюймовые и 6-дюймовые пластины SiC для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа проводимости материалов SiC: N-типа SiC (легированная азотом) и высокочистый полуизолирующий SiC (нелегированная). Высокочистые полуизолирующие пластины SiC в основном применяются в связи 5G. Они обладают такими преимуществами, как улучшение радиочастотного диапазона, сверхвысокое распознавание, помехоустойчивость, высокоскоростная передача информации с большой емкостью, и считаются наиболее подходящим материалом для изготовления микроволновых силовых устройств. Пластины SiC N-типа в основном используются в новых электрических транспортных средствах, высоковольтных передающих и преобразовательных станциях, бытовой технике, высокоскоростных поездах, двигателях, фотоэлектрических преобразователях, импульсных источниках питания и др. Они обладают такими преимуществами, как снижение потерь энергии, повышение надежности, уменьшение объема, улучшение производительности оборудования и т. д., они обладают незаменимыми преимуществами в производстве устройств силовой электроники. Кроме того, по запросу доступны слитки SiC и изготовленные на заказ подложки SiC.

Сферы применения

Беспроводная связь 5G
Микроволновые энергоустановки
Автомобили на перспективных видах топлива
Импульсные источники питания
Фотоэлектрические инверторы

Преимущества

Ширина запрещённой зоны (примерно в 3 раза больше, чем у Si)
Высокая критическая напряжённость поля (примерно в 10 раз больше, чем у Si)
Высокая теплопроводность (примерно в 3 раза больше, чем у Si)

Производимые опции

Ориентация: <0001>, <0001> отклонение 4º
Размеры: 4”, 6”, 20x20, 15x15, 10x10, 5x5 мм и т. д.
Толщина: 350, 500, 330 мкм и т. д.
Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки, слитки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства 4х дюймовой Полуизолирующих пластин SiC высокой чистоты

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет
1 Параметры кристалла
1.1	Политип		4H	4H	4H
1.2	Ориентация поверхности по оси F		<0001>	<0001>	<0001>
1.3	Ориентация поверхности вне оси		0±0.2°	0±0.2°	0±02
1.4	(0004)(FWHM)	угловая секунда	≤45	≤60	≤100
2 Электрические параметры
2.1	Тип		HPSI	HPSI	HPSI
2.2	Удельное сопротивление	Ом-см	≥1E9	100% площади >1E5	70% площади >1E5
3 Механические параметры
3.1	Диаметр	мм	99.5~100	99.5~100	995~100
3.2	Толщина	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Первичная плоская ориентация		[1-100]±5°	[1-100]±5°	[1-100]±5°
3.4	Первичная плоская длина	мм	32.5±1.5	32.5±1.5	32.5±1.5
3.5	Вторичная плоская позиция		90±5° 90°CW от первичной ±5°, кремниевой поверхностью вверх	90±5° 90°CW от первичной flat ±5°, кремниевой поверхностью вверх	90±5 90°CW от первичной flat ±5°, кремниевой поверхностью вверх
3.6	Вторичная плоская длина	мм	18±1.5	18±1.5	18±1.5
3.7	TTV	Мкм	≤5	≤10	≤20
3.8	LTV	Мкм	≤2 (5*5 мм)	≤5 (5*5 мм)	Нет
3.9	Bow	Мкм	-15~15	-35~35	-45~45
3.10	Деформация	мкм	≤20	≤45	≤50
3.11	(AFM) Передняя часть (Si) Rough	нм	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)
4 Структура
4.1	Плотность микротрубок	шт/см2	≤l	≤5	≤10
4.2	Плотность углерода	шт/см2	≤l	Нет	Нет
4.3	Гексагональный зазор		Нет	Нет	Нет
4.4	Металлические примеси	атомов/ см2	≤5E12	≤5E12	Нет

5 Качество фронтальной части
5.1	Фронт		Si	Si	Si
5.2	Покрытие поверхности		Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP
5.3	Частицы	шт/пластина	≤60 (размер≥0.3 мкм)	Нет	Нет
5.4	Царапины	шт/мм	≤2，≤ Диаметр (Совокупная длина)	≤2* Диаметр (Совокупная длина)	Нет
5.5	Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения	мм	Нет	Нет	Нет
5.6	Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины		Нет	Нет	Нет
5.7	Политипные области		Нет	≤20% (Совокупной области)	≤30% (Совокупной области)
5.8	Передняя лазерная маркировка		Нет	Нет	Нет
6 Качество обратной части
6.1	Полировка		C CMP C-face CMP	C CMP C-face CMP	C面CMP C-face CMP
6.2	Царапины	шт/мм	≤5，≤2*Диаметр (совокупной длины)	Нет	Нет
6.3	Дефекты задней части (сколы/вмятины на кромках)		Нет	Нет	Нет
6.4	Шероховатость	Нм	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5	Лазерная маркировка		1 мм (с верхнего края)	1 мм (с верхнего края)	1 мм (с верхнего края)
7 Край
7.1	Край		Фаска	Фаска	Фаска
8 Паковка
8.1	Паковка		Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется
8.2	Паковка		Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность

Свойства 6-дюймовых высокочистых полуизолирующих пластин SiC

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет
1 Параметры кристалла
1.1	Политип		4H	4H	4H
1.2	Ориентация поверхности по оси		<0001>	<0001>	<0001>
1.3	Ориентация поверхности вне оси	o	0±0.25°	0±0.2°	0±0.2°
1.4	( 0 0 0 4 ) ( F W H M )	Угловая секунда	≤45	≤60	≤100
2 Электрические параметры
2.1	Тип		HPS I O R	HPSI	HPSI
2.2	Удельное сопротивление	Ом см	≥1E8	100% области >1E5	70% области >1E5
3 Механические параметры
3.1	Диаметр	мм	150±0.2	150±0.2	99.5~100
3.2	Толщина	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Ориентация выемки	o	[1-100]±5°	[1-100]±5°	[1-100]±5°
3.4	Глубина выемки	мм	1~1.25	1~1.25	1~1.25
3.6	L TV	мкм	≤3 мкм (5*5 мм)	≤5 мкм (5*5 мм)	≤10 мкм (5*5 мм)
3.5	T TV	мкм	≤5	≤10	≤15
3.7	Bow	мкм	-25~25	-35~35	-45~45
3.8	Деформация	мкм	≤35	≤45	≤55
3.9	Фронтальная шероховатость	нм	Ra≤0.2 нм (5*5 мкм)	Ra≤0.2 нм (5*5 мкм)	Ra≤0.2 нм (5*5 мкм)
4 Структура
4.1	Плотность микротрубок	шт/см	≤1	≤10	≤15
4.2	Плотность углеродных включений	шт/см²	≤1	NA	NA
4.3	Гексагональный зазор		Нет	NA	NA
4.4	Металические примеси	атомов/см²	≤5E12	≤5E12	NA
5 Фронтальное качество
5.1	Фронтальная часть		Si	Si	Si
5.2	Полировка		Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP
5.3	Частицы	шт/пластина	≤60 размер≥0.3 мкм)	NA	NA
5.4	Царапины	шт/мм	≤5，≤Диаметр (Совокупной длины)	≤2*Диаметр (Совокупной длины)	NA
5.5	Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения		Нет	Нет	NA
5.6	Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины		Нет	Нет	Нет
5.7	Политипные области		Нет	≤20% (Совокупной площади)	≤30% (Совокупной площади)
5.8	Лазерная маркировка фронтальной части		Нет	Нет	Нет
6 Качество обратной части
6.1	Полировка обратной части		C CMP C-face CMP	C CMP C-face CMP	C CMP C-face CMP
6.2	Царапины	шт/мм	≤5，≤2*Диаметр (Совокупной длины)	NA	NA
6.3	Дефекты обратной части (сколы/вмятины на кромке)	--	Нет	Нет	Нет
6.4	Шероховатость обратной части	нм	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2(5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5	Лазерная маркировка обратной части	--	SEMI	SEMI	SEMI
7 Кромка
7.1	Кромка		Фаска	Фаска	Фаска
8 Паковка
8.1	Паковка		Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2	Паковка		Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

Свойства 4-дюймовых пластин SiC типа N

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет
1 Параметры кристала
1.1	Политип		4H	4H	4H
1.2	Погрешность ориентации поверхности		<11-20>4±0.15	<11-20>4±0.15	<11-20>4±0.15
2 Электрические параметры
2.1	Легирование		n-тип Азот	n-тип Азот	n-тип Азот
2.2	Удельное сопротивление	Ом см	0.015~0.025	0.015~0.025	0.015~0.025
3 Механические параметры
3.1	Диаметр	мм	99.5~100	99.5~100	99.5~100
3.2	Толщина	мкм	350±25	350±25	350±25
3.3	Первичная плоская ориентация	o	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Первичная плоская длина	мм	32.5±1.5	32.5±1.5	32.5±1.5
3.5	Вторичная плоскость		90±5°	90±5°	90±5°
3.6	Длина вторичной плоскости	мм	18±1.5	18±1.5	18±1.5
3.8	LTV	мкм	≤2(5*5 мм)	≤5(5*5 мм)	NA
3.7	TTV	мкм	≤5	≤10	≤20
3.9	Bow	мкм	-15~15	-35~35	-45~45
3.10	Деформация	мкм	≤20	≤45	≤50
3.11	(AFM) Фронтальная часть (Si-face) Шероховатость	нм	Ra≤0.2(5*5 мкм)	Ra≤0.2(5*5 мкм)	Ra≤0.2(5*5 мкм)
4 Структура
4.1	Плотность микротрубок	шт/см²	≤1	≤5	≤10
4.2	Металические примеси	атомов/см	≤5E10	≤5E10	NA
4.3	BPD	шт/см²	≤2000	≤3000	NA
4.4	TSD	шт/см	≤500	≤1000	NA
5 Фронтальное качество
5.1	Фронтальная часть		Si	Si	Si
5.2	Полировка		Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP	Si CMP Si-face CMP
5.3	Частицы	шт/пластина	≤60 (размер ≥0.3 мкм)	NA	NA
5.4	Царапины	шт/пластина	≤2, совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина ≤2*Диаметр	NA
5.5	Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения		Нет	Нет	NA
5.6	Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины		Нет	Нет	NA
5.7	Политипные области		Нет	≤20%	≤30%
5.7	Лазерная маркировка фронтальной части		Нет	Нет	Нет
6 Качество обратной части
6.1	Полировка обратной части		Полированная поверхность C	Полированная поверхность C	Полированная поверхность C
6.2	Царапины	шт/мм	≤5,Совокупная длина ≤2*Диаметр	NA	NA
6.3	Дефекты обратной стороны (сколы / вмятины)		Нет	Нет	Нет
6.4	Шероховатость обратной части	нм	Ra≤0.2(5*5 мкм)	Ra≤0.2(5*5 мкм)	Ra≤0.2(5*5 мкм)
6.5	Лазерная маркировка обратной части		1 мм (От верхней кромки)	1 мм (От верхней кромки)	1 мм (От верхней кромки)
7 Кромка
7.1	Кромка		Фаска	Фаска	Фаска
8 Паковка
8.1	Паковка		Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2	Паковка		Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

Свойства 6-дюймовых пластин SiC типа N

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет
1 Параметры кристала
1.1	Политип		4H	4H	4H
1.2	Погрешность ориентации поверхности		<11-20>4±0.15	<11-20>4±0.15	<11-20>4±0.15
2 Электрические параметры
2.1	Легирование		n-тип Азот	n-тип Азот	n-тип Азот
2.2	Удельное сопротивление	Ом-см	0.015~0.025	0.015~0.025	0.015~0.025
3 Механические параметры
3.1	Диаметр	мм	150.0±0.2	150.0±0.2	150.0±0.2
3.2	Толщина	мкм	350±25	350±25	350±25
3.3	Первичная плоская ориентация		[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Первичная плоская длина	Мм	47.5±1.5	47.5±1.5	47.5±1.5
3.5	Вторичная плоскость	Мм	Нет	Нет	Нет
3.6	LTV	мкм	≤3 (5*5 мм)	≤5 (5*5 мм)	≤10 (5*5 мм)
3.7	TTV	мкм	≤5	≤10	≤15
3.8	Bow	мкм	-25~25	-35~35	-45~45
3.9	Деформация	мкм	≤35	≤45	≤55
3.10	(AFM) Фронтальная часть (Si-face)Шероховатость	нм	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)
4 Структура
4.1	Плотность микротрубок	шт/см²	<1	<10	<15
4.2	Металические примеси	атомов/см	≤5E10	≤5E10	NA
4.3	BPD	шт/см	≤2000	≤3000	NA
4.4	TSD	шт/см²	≤500	≤1000	NA
5 Фронтальное качество
5.1	Фронтальная часть		Si	Si	Si
5.2	Полировка		CMP Si-face CMP	CMP Si-face CMP	CMP Si-face CMP
5.3	Частицы	шт/пластина	≤60 (размер ≥0.3 мкм)	NA	NA
5.4	Царапины	шт/пластина	≤5, совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина ≤2*Диаметр	NA
5.5	Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения		Нет	Нет	NA
5.6	Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины		Нет	Нет	Нет
5.7	Политипные области		Нет	≤20%	≤30%
5.8	Лазерная маркировка фронтальной части		Нет	Нет	Нет
6 Качество обратной части
6.1	Полировка обратной части		Полированная поверхность C	Полированная поверхность C	Полированная поверхность C
6.2	Царапины	шт/мм	≤5,Совокупная длина ≤2*Диаметр	NA	NA
6.3	Дефекты обратной части (сколы/вмятины на кромке)		Нет	Нет	Нет
6.4	Шероховатость обратной части	нм	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)	Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5	Лазерная маркировка обратной части		1 мм (От верхней кромки)	1 мм (От верхней кромки)	1 мм (От верхней кромки)
7 Кромка
7.1	Кромка		Фаска	Фаска	Фаска
8 Паковка
8.1	Паковка		Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.	Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2	Паковка		Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность	Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

Свойства 4-дюймовых слитков SiC типа N

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет	Дата
1. Параметры слитка
1.1	Политип		4H			*
1.2	Легирование		n-тип Азот			*
1.3	Удельное сопротивление	Ом-см	0.015~0.025			*
1.4	Диаметр	мм	100.25±0.25			#
1.5	Толщина	мм	≥10 (Рис. 2)			#
1.6	Погрешность ориентации поверхности	0	4°к <11-20>±0.2° (Рис. 1)			#
1.7	Первичная плоская ориентация	o	[1-100]±5.0 (Рис. 4)			*
1.8	Первичная плоская длина	мм	32.5±1.5 (Рис. 3)			#
1.9	Вторичная плоскость	0	90.0°CW от первичной ±5.0°, кремниевой частью вверх (Рис. 4)			*
1.10	Длина вторичной плоскости	мм	18±1.5 (Рис. 3)			#
1.11	Плотность микротрубок	шт/см²	≤0.5	≤5	≤10	*
1.12	BPD	шт/см²	≤2000	≤3000		*
1.13	TSD	шт/см²	≤500	≤1000		*
1.14	Краевые трещины	шт	≤3,≤1	≤5,≤1	≤5,≤3	#
1.15	Политипные области	--	Нет	≤3% области	≤5% области	*
1.16	Краевые вмятины	шт	≤3,≤1 мм ширины и глубины	≤5,≤1мм ширины и глубины	≤5,≤2мм ширины и глубины	#
2. Паковка
2.1	Этикетка		C-поверхность (Рис. 5)			*
2.2	Паковка	--	Кассета для слитков, вакуумная упаковка			*
Примечания:* означает гарантированное значение. # означает фактически измеренное значение

Свойства 6-дюймовых слитков SiC типа N

No.	Параметр	Ед.	Производство	Исследование	Макет	Дата
1. Параметры слитка
1.1	Политип		4H			*
1.2	Легирование		n-тип Азот			*
1.3	Удельное сопротивление	Ом-см	0.015~0.025			*
1.4	Диаметр	мм	150.25±0.25			#
1.5	Толщина	мм	≥10 (Рис. 2)			#
1.6	Погрешность ориентации поверхности	0	4°к <11-20>±0.2° (Рис. 1)			#
1.7	Первичная плоская ориентация	o	[1-100]±5.0 (Рис. 4)			*
1.8	Первичная плоская длина	мм	47.5±1.5 (Рис. 3)			#
1.9	Плотность микротрубок	шт/см²	≤0.5	≤5	≤10	*
1.10	BPD	шт/см²	≤2000	≤3000	-	*
1.11	TSD	шт/см²	≤500	≤1000	--	*
1.12	Краевые трещины	шт	≤3,≤1 мм/шт	≤5,≤1 мм/шт	≤5,≤3 мм/шт	#
1.13	Политипные области		Нет	≤3% области	≤5% области	*
1.14	Краевые вмятины	ea	≤3,≤1мм ширины и глубины	≤5,≤1мм ширины и глубины	≤5,≤2мм ширины и глубины	#
2. Паковка
2.1	Этикетка		C-поверхность (Рис. 5)			*
2.2	Паковка		Кассета для слитков, вакуумная упаковка			*
Примечания:* означает гарантированное значение. # означает фактически измеренное значение

Возникли вопросы ?

По вопросам, связанным с приобретением криостатов, проработкой проектов, пробным тестированиям образцов, получением дополнительной информации обращайтесь к менеджерам компании Криотрейд инжиниринг.

Имя

E-mail

Телефон

Сообщение (не обязательно)

Дополнительные файлы

Нажимая на кнопку «Отправить заявку», Я соглашаюсь на обработку персональных данных .

Политика ООО «Криотрейд инжиниринг»

Контакты

Напишите нам