телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Стоимость
Стоимость по запросу
Специальное предложение
Готово к отгрузке
Производитель
Арсенид галлия (GaAs) – это соединение, синтезированное из двух элементов: галлия и мышьяка, важный полупроводниковый материал IIIA и VA групп. Он применяется для производства СВЧ-интегральных схем, инфракрасных светодиодов, полупроводниковых лазеров и солнечных батарей. GaAs часто используется в качестве базового материала для эпитаксиального выращивания полупроводников группы III-V, включая арсенид индия-галлия, арсенид алюминия-галлия и другие.
Компания OST Photonics предлагает высококачественные подложки GaAs для исследования и промышленности. Доступно пять типов GaAs на выбор: полуизолирующий GaAs (нелегированный), N-типа GaAs (легированный Si), полуизолирующий GaAs (легированный Cr), GaAs N-типа (легированный Te) и GaAs P-типа (легированный Zn). Размер и толщина кристалла варьируются в соответствии с требованиями клиента.
| Кристаллическая структура | Кубическая a=5.653 Å |
||||
| Точка плавления | 1238 ℃ | ||||
| Плотность | 5.31 г/см3 | ||||
| Ширина запрещённой зоны | 1.424 | ||||
| Тип проводимости | N-тип | P-тип | Полуизоляционный | Полуизоляционный | N-тип |
| Метод выращивания | VGF (вертикальной направленной кристаллизации) | VGF/LEC | VGF/LEC | VGF | LEC (Чохральского с инкапсулированной жидкостью) |
| Легирование | Si | Zn | Нет | Cr | Te |
| Концентрация носителей | (0.4-4) ×10^18 / см3 | (0.5-5) ×10^19 / см3 | (0.4-4.4) ×10^8 / см3 | - | (1-2) ×10^17 / см3 |
| Сопротивляемость | (1.2-9.9) ×10^-3 Ом см | - | >1x10^7 Ом см | >5x10^7 Ом см | (0.74-1.05) ×10^-2 Ом см |
| Подвижность | >1000 см2/v.s | 50-120 см2/v.s | >4000 см2/v.s | 5500-6000 см2/v.s | >1500 см2/v.s |
| Плотность ямок травления (EPD) | <5000 / см2 | <5000 / см2 | <5000 / см2 | <5000 / см2 | <10000 / см2 |
| Ориентация | <100>, и т.д. | ||||
| Допуск по ориентации | ±0.5° или лучше | ||||
| Размеры | 2”, 3”, 4”, 6”, 25x25 мм, 10x10 мм, 10x5 мм, 5x5 мм, и т.д. | ||||
| Допуск по размерам | ±0.1 или лучше | ||||
| Толщина | 350, 500, 650 мкм, и т.д. | ||||
| Допуск по толщине | ±0.05 мм или лучше | ||||
| Полировка поверхности | Односторонняя полировка (SSP) / Двусторонняя полировка (DSP) | ||||
| Шероховатость поверхности | Ra<5Å Доступен отчет об испытаниях с использованием атомно-частичной микроскопии (АСМ). |
||||
| Паковка | Пакет чистоты класса 100, Стерильная комната чистоты класса 1000 | ||||
