Подложки SiC (4H-SiC, 6H-SiC) OST Photonics

Описание

Материал подложки из карбида кремния (SiC) - важный материал для развития промышленности силовой электроники. Высокочистый полуизолирующий SiC в основном применяется в приложениях связи 5G. Он обладает такими преимуществами, как улучшение радиочастотного диапазона, сверхвысокое распознавание, помехоустойчивость, высокоскоростная и большая передача информации, и считается идеальным материалом для изготовления микроволновых силовых устройств. SiC N-типа в основном используется в производстве перспективных электрических транспортных средствах, высоковольтных передающих и преобразовательных станциях, бытовой технике, высокоскоростных поездах, двигателях, фотоэлектрических преобразователях, импульсных источниках питания и других областях, он обладает такими преимуществами, как снижение потерь энергии в оборудовании, повышение надежности, уменьшение объема, улучшение производительности оборудования и так далее, он имеет незаменимые преимущества в производстве устройств силовой электроники.
Компания OST Photonics предлагает высококачественные SiC (4H-SiC, 6H-SiC) подложки для исследования и промышленности. Ориентация кристаллов, размер и толщина кристаллов варьируются в соответствии с требованиями клиента.

Сферы применения

• Беспроводная связь 5G
• Микроволновые энергоустановки
• Автомобили на перспективной энергии
• Импульсные источники питания
• Фотоэлектрические инверторы

Преимущества

• Большая ширина запрещённой зоны (примерно в 3 раза больше, чем у Si)
• Высокая критическая напряжённость поля (примерно в 10 раз больше, чем у Si)
• Высокая теплопроводность (примерно в 3 раза больше, чем у Si)

Производимые опции

• Ориентация: <0001>, <0001>, отклонение 4° и т.д.
• Размеры: 4”, 6”, 20x20 мм, 15x15 мм, 10x10 мм, 5x5 мм и т.д.
• Толщина: 0.33, 0.35, 0.5 мм и т.д.
• Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и оптика на заказ

Свойства