телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Телефон/факс
Для заказа криогенных жидкостей
Стоимость
Стоимость по запросу
Специальное предложение
Готово к отгрузке
Производитель
Кристаллы Nd:YVO4 - одни из самых перспективных коммерчески доступных материалов для твердотельных лазеров с диодной накачкой, особенно для низкой и средней плотности рассеиваемой мощности. Это обусловлено главным образом более высокими характеристиками поглощения и излучения, по сравнению с кристаллами Nd:YAG. Накачиваемые лазерными диодами, кристаллы Nd:YVO4 объединены с кристаллами с высоким коэффициентом нелинейной поляризации (LBO, BBO или KTP) для сдвига частоты выходного сигнала с ближнего инфракрасного диапазона в зеленый, синий или даже ультрафиолетовый. Такое построение твердотельных лазеров создаёт идеальный лазерный инструмент, способный охватить наиболее распространенные области применения лазеров, включая механическую обработку, обработку материалов, спектроскопию, контроль качества пластин, световые дисплеи, медицинскую диагностику, лазерную печать и устройства хранения данных и т. д. Твердотельные лазеры на основе Nd:YVO4 с диодной накачкой быстро занимают рынки, на которых традиционно доминировали ионные лазеры с водяным охлаждением и ламповой накачкой, особенно когда требуются компактность конструкции и выход с одной продольной модой.
| Легирование | 0.07%~3% |
| Допуск по концентрации легирующей примеси | ±0.05% (atm%<1%), ±0.1% (atm%≥1%) |
| Ориентация | A-cut / C-cut +/-0.5 град. |
| Допуск по размерам | ±0.1 мм |
| Плоскость | λ/10 при 632.8 нм |
| Искажение волнового фронта | λ/6 при 632.8 нм |
| Качество поверхности | 10/5 на MIL-O-13830B |
| Параллелизм | 10″ |
| Перпендикулярность | 10′ |
| Скос/Фаска | <0.1 мм при 45 град. |
| Сколы | <0.1 мм |
| Ограничительная апертура | >95% |
| Покрытие | AR/HR/PR (IAD, EB, IBS) по запросу клиента |
| Порог повреждения | 750 MW/CM2 при 1064 нм, TEM00, 10 нс, 10 Гц |
| Период гарантии качества | Один год при правильном использовании |
Основные свойства лазеров Nd: YVO4 и Nd: YAG приведены в таблице ниже, включая сечение вынужденного излучения (σ), коэффициент поглощения (α), длительность флуоресценции (τ), длина поглощения (La), пороговая мощность (Pth) и квантовая эффективность накачки.
| Лазерный кристалл | Легирование (atm%) | σ (x10^-19 см2) | α (см-1) | τ (мкс) | Lα (мм) | Pth (mW) | Effi. (%) |
| Nd: YVO4 (a-cut) |
1.0 2.0 |
25 25 |
23 46 |
90 50 |
0.32 0.14 |
30 78 |
52 48.6 |
| Nd: YVO4 (c-cut) |
1.1 | 7 | 9.2 | 90 | 231 | 45.5 | |
| Nd:YAG | 0.85 | 6 | 7.1 | 230 | 1.41 | 115 | 38.6 |
| Атомная плотность: | 1.26x10^20 атомов/см3 (Nd 1.0%) |
| Кристаллическая структура: | Тетрагональная (циркон), пространственная группа D4h-I4/amd a=b=7.1193A,c=6.2892A |
| Плотность: | 4.22 г/см3 |
| Твёрдость (Мо): | 4-5 (стекло) |
| Коэффициент теплового расширения (300 K): | αa=4.43x10^-6/K αc=11.37x10^-6/K |
| Коэффициент теплопроводности (300 K): | //C:0.0523W/cm/K ⊥C:0.0510W/cm/K |
| Длина волны лазера: | 1064, 1342, 914 нм |
| Термооптический коэффициент (300 K): | dno/dT=8.5x10^-6/K dne/dT=2.9x10^-6/K |
| Сечение вынужденного излучения: | 25×10^-19 см2 при 1064 нм |
| Длительность флуоресценции: | 90 мкс (1% легирование Nd) |
| Коэффициент поглощения: | 31.4 см-1 при 810 нм |
| Внутренние потери: | 0.02 см-1 при 1064 нм |
| Увеличение пропускной способности: | 0.96 нм при 1064 нм |
| Поляризованное лазерное излучение: | π-поляризация; параллельная оптической оси (оси c) |
| Оптическая эффективность с диодной накачкой: | ≥50% |
| Уравнения Селемейера (λ в мкм) | n02=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.010813λ2 ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.012676λ2 |
