Пластины и подложки

Кристаллическая подложка из селенида цинка (ZnSe) широко применяется в инфракрасной оптике, производстве линз, окон, светоделителей, эпитаксиальных подложек, кристаллов-источников испарения и т. д.

Оксид цинка (ZnO) - субстрат для тонких плёнок GaN, обладающий большой энергией связи экситона, равной 60 МэВ, и шириной полосы пропускания 3.73 эВ при комнатной температуре, что позволяет ему люминесцировать в ультрафиолетовом и видимым свете.

Кристаллы ванадата иттрия (YVO4) обладают хорошими механическими и физическими свойствами и идеально подходят для производства оптических поляризационных компонентов благодаря широкому диапазону прозрачности и высокому двулучепреломлению.

Монокристаллическая подложка из диоксида циркония, легированного иттрием (YSZ), - один из передовых материалов, используемых для создания тонких высокотемпературных сверхпроводящих пленок.

Монокристаллический алюминат иттрия (YAlO3 или YAP) – важный материал для кристаллической матрицы, аналогичный монокристаллу YAG с превосходными оптическими и физико-химическими свойствами.

Иттрий-алюминиевый гранат (YAG) – изотропный кристалл с кубической симметрией, обладающий превосходными оптическими и термодинамическими свойствами.

Кристалл рутила (TiO2) обладает высоким двулучепреломлением и показателем преломления, и идеально подходит для спектральных призм и поляризационных устройств.

Тербий-галлиевый гранат (TGG) – высокоэффективный магнитооптический кристалл, работающий в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах, который широко применяется в лазерной технике, оптической связи и оптической обработке информации.

Диоксид теллура (TeO2) - превосходный акустооптический кристаллический материал, широко применяемый в производстве акустооптических модуляторов (АОМ), акустооптических дефлекторов (АОД), лазерных модуляторов добротности, анализаторов радиочастотного спектра в лазерной технике и оптоэлектронной технике.

Монокристалл скандиата тербия (TbScO3) имеет хорошее соответствие кристаллической решетки перовскитному сверхпроводнику и является превосходным сегнетоэлектрическим тонкопленочным материалом для подложки.

Монокристалл SrTiO3 обеспечивает хорошее согласование кристаллической решетки с большинством материалов структуры перовскита.

Кристалл алюмината стронция-лантана (SrLaAlO4) не имеет двойников и фазовых переходов от точки плавления до низких температур.

Монокристаллы кремния применяются в качестве полупроводникового материала, мощных транзисторов, выпрямителей, солнечных батарей и т. д.

Материал подложки из карбида кремния (SiC) - важный материал для развития промышленности силовой электроники.

Кристалл SGGG (гадолиний-галлиевый гранат, легированный Ca, Mg и Zr) это отличный материал для подложек эпитаксиальных пленок висмут-железного граната.

ScAlMgO4 (MgScAlO4 или SCAM) — передовой материал подложек для гетероэпитаксии GaN и ZnO, имеющий наименьшее рассогласование кристаллических решеток с GaN и ZnO.

Кристалл ниобата стронция-бария (BaxSr1-xNb2O6 или SBN) представляет собой превосходный оптический и фоторефрактивный материал благодаря своим превосходным фоторефрактивным, электрооптическим, нелинейно-оптическим и диэлектрическим свойствам.

PMN-PT ((1-x)[Pb(Mg0.33Nb0.67)O3]-x[PbTiO3]) – представляет собой перспективный пьезоэлектрический кристаллический материал. Он обладает такими характеристиками, как высокая электрическая постоянная напряжения, большой коэффициент электромеханической связи, высокая диэлектрическая проницаемость, низкие потери, превосходные нелинейно-оптические и пироэлектрические характеристики.

NdGaO3 — это перспективный тип подложки, применяемый в основном для эпитаксиального роста плёнок высокотемпературных сверхпроводников (таких как YBCO) и магнитных материалов.

NdCaAlO4 — перспективный оксидный кристалл для сверхпроводниковых и сегнетоэлектронных пленок.

Титанат стронция, легированный неодимом, имеет структуру, аналогичную структуре чистого монокристалла SrTiO3. В настоящее время доступны монокристаллические подложки Nd:SrTiO3 с концентрацией легирования неодимом 0.5%.

Титанат стронция, легированный ниобием, имеет структуру, схожую со структурой чистого монокристалла титаната стронция, но Nb:SrTiO3 обладает электропроводностью.

Монокристаллические подложки NaCl идеально подходят для выращивания пленок экситаксила, а также для изучения диффузии и дефектов на границе раздела. Пленка легко удаляется с подложки NaCl, при смывании водой или растворении подложки. NaCl очень чувствителен к влаге и должен храниться в эксикаторе.

Монокристаллические подложки из оксида магния (MgO) широко применяются во многих областях тонкопленочной технологии, таких как производство магнитных, полупроводниковых, оптических и высокотемпературных сверхпроводящих пленок.

Кристалл фторида магния (MgF2) относится к тетрагональной сингонии, имеет высокую температуру плавления (1255 °C), обладает высокой твёрдостью, хорошими механическими свойствами, химической стабильностью, не подвержен расслаиванию и коррозии.

MgAl6O10 — новый материал для эпитаксиального роста GaN и ZnO. По сравнению с кристаллом MgAl2O4, монокристалл MgAl6O10 имеет меньшее рассогласование параметров теплового расширения и решётки с GaN.

Алюминат магния (MgAl2O4) может применяться в качестве подложки для тонкопленочных устройств на основе нитридов AIIIBV, а также в акустических и микроволновых устройствах, и в эпитаксиальных подложках для быстрых ИС.

Кристалл алюмината стронция-лантана (LSAT или (La,Sr)(Al,Ta)O3) не имеет двойников и фазовых переходов от точки плавления до низких температур. Он имеет ту же структуру, что и высокотемпературный сверхпроводник YBCO.

Кристалл танталата лития (LiTaO3) – бесцветный или желтоватый кристалл, сегнетоэлектрик с превосходными электрооптическими, пьезоэлектрическими, электрическими и пироэлектрическими свойствами.

Ниобат лития (LiNbO3) — это соединение ниобия, лития и кислорода, и отрицательный кристалл (n0>ne). Деформированный кристалл ниобата лития — это материал с множеством разнообразных свойств, таких как пьезоэлектрические, сегнетоэлектрические, оптоэлектронные, нелинейные оптические и пироэлектрические.

Кристалл фторида лития (LiF) относится к кубической сингонии с плоскостью спайности (100) и обладает превосходными оптическими свойствами, особенно в глубоком ультрафиолетовом диапазоне.

Кристалл LiAlO2 (алюмината лития) служит одной из самых эффективных подложек для высокотемпературных сверхпроводящих тонких плёнок. Он хорошо сочетается с высокотемпературными сверхпроводящими материалами, такими как YBaCuO, обладает низкой диэлектрической проницаемостью и малыми микроволновыми потерями.

Кристалл силиката галлия-лантана (LGS) – многофункциональный кристалл с превосходными характеристиками. Диэлектрические, упругие и пьезоэлектрические константы кристалла LGS значительно выше, чем у кварца, а коэффициент электромеханической связи выше в - 2-3 раза.

Монокристаллический алюминат лантана (LaAlO3) в настоящее время является важнейшим промышленно осваиваемым крупногабаритным монокристаллическим материалом для тонкопленочных подложек высокотемпературных сверхпроводников.

Ниобат-танталат калия (KTa1-xNbxO3 или KTN) – многофункциональный кристалл с превосходными характеристиками, обладающий выраженным электрооптическим и фоторефрактивным эффектом.

Монокристалл танталата калия (KTaO3 или KT) обладает стабильной кубической структурой и применяется для создания лазерных модуляторов, цифровых дефлекторов и полупроводниковых приборов.

Будучи одним из важнейших полупроводниковых соединений, монокристаллические материалы InP являются ключевыми для производства лазерных диодов (ЛД), светодиодов (СИД) и фотодетекторов на основе InP в оптической связи.

Монокристаллическая подложка из арсенида индия позволяет выращивать InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb и другие гетеропереходные материалы для производства инфракрасных светоизлучающих устройств с длинами волн 2-14 мкм.

Особенность GSGG (12,554Å)  в том, что атомы Ga 2 в октаэдре кристалла GGG замещены атомами Sc с большим ионным радиусом, что увеличивает постоянную решетки.

Компания OST Photonics — ведущий производитель подложек и кристаллов гадолиний-галлиевого граната (GGG). Благодаря превосходной термостойкости, высокой прозрачности и низкому оптическому поглощению, GGG идеально подходит для различных применений

Монокристаллические пластины германия - важный материал для подложек полупроводников. Такие высококачественные подложки в основном используются в фотоэлектрических системах, солнечных батареях для космических аппаратов и сверхъярких светодиодах.

Кристаллы GdScO3 обладают хорошим соответствием кристаллической решетки перовскитным сверхпроводникам и являются превосходными сегнетоэлектрическими тонкопленочными материалами-подложками.

Монокристаллы GaSb применимы в качестве подложек благодаря тому, что их постоянные решетки совпадают с постоянными различных тройных и четверных соединений AIIIBV с шириной запрещенной зоны в спектральном диапазоне 0.8–4.3 мкм.

Арсенид галлия (GaAs) – это соединение, синтезированное из двух элементов: галлия и мышьяка, важный полупроводниковый материал IIIA и VA групп. Он применяется для производства СВЧ-интегральных схем, инфракрасных светодиодов, полупроводниковых лазеров и солнечных батарей.

Арсенид галлия (GaAs) – это соединение, синтезированное из двух элементов: галлия и мышьяка, важный полупроводниковый материал IIIA и VA групп. Он применяется для производства СВЧ-интегральных схем, инфракрасных светодиодов, полупроводниковых лазеров и солнечных батарей.

Титанат стронция, легированный железом, и монокристалл титаната стронция имеют схожую структуру и являются хорошим материалом для подложек высокотемпературных сверхпроводящих и различных оксидных пленок.

Кристаллы DyScO3 имеют хорошее соответствие кристаллической решетки перовскитным сверхпроводникам и представляют собой превосходный сегнетоэлектрический тонкопленочный материал для подложек.

Ce:YAP — это быстродействующий сцинтилляционный кристалл с превосходными характеристиками. Он обладает высокой светоотдачей, малым временем затухания, хорошей термической стабильностью и механическими свойствами, а также стабильными химическими характеристиками.

Ce:YAG представляет собой сцинтилляционный кристалл с высокой светоотдачей и широким световым импульсом. Его пиковая интенсивность (550 нм) хорошо согласуется с длиной волны чувствительности фотодиода. Кристалл Ce:YAG может применяться в качестве фотодетектора и датчика заряженных частиц.

Вольфрамат кадмия (CdWO4 или CWO) представляет собой моноклинный кристалл со структурой вольфрамита, обладающий хорошими комплексными сцинтилляционными свойствами.