Полупроводниковые пластины - wafers: Фотоника https://wafers.cryotrade.ru Фотоника Tue, 15 Jul 2025 10:50:24 +0000 ru-RU hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.8.2 Пластины SiC OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/sicwafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=sicwafers https://wafers.cryotrade.ru/product/sicwafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 14:50:47 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4221 Компания OST Photonics предлагает 4-дюймовые и 6-дюймовые пластины SiC для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа проводимости материалов SiC: N-типа SiC (легированная азотом) и высокочистый полуизолирующий SiC (нелегированная).

The post Пластины SiC OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Компания OST Photonics предлагает 4-дюймовые и 6-дюймовые пластины SiC для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа проводимости материалов SiC: N-типа SiC (легированная азотом) и высокочистый полуизолирующий SiC (нелегированная). Высокочистые полуизолирующие пластины SiC в основном применяются в связи 5G. Они обладают такими преимуществами, как улучшение радиочастотного диапазона, сверхвысокое распознавание, помехоустойчивость, высокоскоростная передача информации с большой емкостью, и считаются наиболее подходящим материалом для изготовления микроволновых силовых устройств. Пластины SiC N-типа в основном используются в новых электрических транспортных средствах, высоковольтных передающих и преобразовательных станциях, бытовой технике, высокоскоростных поездах, двигателях, фотоэлектрических преобразователях, импульсных источниках питания и др. Они обладают такими преимуществами, как снижение потерь энергии, повышение надежности, уменьшение объема, улучшение производительности оборудования и т. д., они обладают незаменимыми преимуществами в производстве устройств силовой электроники. Кроме того, по запросу доступны слитки SiC и изготовленные на заказ подложки SiC.

Сферы применения

 

  • Беспроводная связь 5G
  • Микроволновые энергоустановки
  • Автомобили на перспективных видах топлива
  • Импульсные источники питания
  • Фотоэлектрические инверторы

 

Преимущества

 

  • Ширина запрещённой зоны (примерно в 3 раза больше, чем у Si)
  • Высокая критическая напряжённость поля (примерно в 10 раз больше, чем у Si)
  • Высокая теплопроводность (примерно в 3 раза больше, чем у Si)

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <0001>, <0001> отклонение 4º
  • Размеры: 4”, 6”, 20×20, 15×15, 10×10, 5×5 мм и т. д.
  • Толщина: 350, 500, 330 мкм и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки, слитки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства 4х дюймовой Полуизолирующих пластин SiC высокой чистоты

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет
1 Параметры кристалла
1.1 Политип 4H 4H 4H
1.2 Ориентация поверхности по оси F <0001> <0001> <0001>
1.3 Ориентация поверхности вне оси 0±0.2° 0±0.2° 0±02
1.4 (0004)(FWHM) угловая секунда ≤45 ≤60 ≤100
2 Электрические параметры
2.1 Тип HPSI HPSI HPSI
2.2 Удельное сопротивление Ом-см ≥1E9 100% площади >1E5 70% площади >1E5
3 Механические параметры
3.1 Диаметр мм 99.5~100 99.5~100 995~100
3.2 Толщина мкм 500±25 500±25 500±25
3.3 Первичная плоская ориентация [1-100]±5° [1-100]±5° [1-100]±5°
3.4 Первичная плоская длина мм 32.5±1.5 32.5±1.5 32.5±1.5
3.5 Вторичная плоская позиция 90±5°
90°CW от первичной ±5°, кремниевой поверхностью вверх		 90±5°
90°CW от первичной flat ±5°, кремниевой поверхностью вверх		 90±5
90°CW от первичной flat ±5°, кремниевой поверхностью вверх
3.6 Вторичная плоская длина мм 18±1.5 18±1.5 18±1.5
3.7 TTV Мкм ≤5 ≤10 ≤20
3.8 LTV Мкм ≤2 (5*5 мм) ≤5 (5*5 мм) Нет
3.9 Bow Мкм -15~15 -35~35 -45~45
3.10 Деформация мкм ≤20 ≤45 ≤50
3.11 (AFM) Передняя часть (Si) Rough нм Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм)
4 Структура
4.1 Плотность микротрубок шт/см2 ≤l ≤5 ≤10
4.2 Плотность углерода шт/см2 ≤l Нет Нет
4.3 Гексагональный зазор Нет Нет Нет
4.4 Металлические примеси атомов/ см2 ≤5E12 ≤5E12 Нет

 

5 Качество фронтальной части
5.1 Фронт Si Si Si
5.2 Покрытие поверхности Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP
5.3 Частицы шт/пластина ≤60 (размер≥0.3 мкм) Нет Нет
5.4 Царапины шт/мм ≤2，≤ Диаметр (Совокупная длина) ≤2* Диаметр (Совокупная длина) Нет
5.5 Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения мм Нет Нет Нет
5.6 Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины Нет Нет Нет
5.7 Политипные области Нет ≤20% (Совокупной области) ≤30% (Совокупной области)
5.8 Передняя лазерная маркировка Нет Нет Нет
6 Качество обратной части
6.1 Полировка C CMP C-face CMP C CMP C-face CMP C面CMP C-face CMP
6.2 Царапины шт/мм ≤5，≤2*Диаметр (совокупной длины) Нет Нет
6.3 Дефекты задней части (сколы/вмятины на кромках) Нет Нет Нет
6.4 Шероховатость Нм Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5 Лазерная маркировка 1 мм (с верхнего края) 1 мм (с верхнего края) 1 мм (с верхнего края)
7 Край
7.1 Край Фаска Фаска Фаска
8 Паковка
8.1 Паковка Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется. Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется
8.2 Паковка Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность

 

Свойства 6-дюймовых высокочистых полуизолирующих пластин SiC

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет
1 Параметры кристалла
1.1 Политип 4H 4H 4H
1.2 Ориентация поверхности по оси <0001> <0001> <0001>
1.3 Ориентация поверхности вне оси o 0±0.25° 0±0.2° 0±0.2°
1.4 ( 0 0 0 4 ) ( F W H M ) Угловая секунда ≤45 ≤60 ≤100
2 Электрические параметры
2.1 Тип HPS I O R HPSI HPSI
2.2 Удельное сопротивление Ом см ≥1E8 100% области >1E5 70% области >1E5
3 Механические параметры
3.1 Диаметр мм 150±0.2 150±0.2 99.5~100
3.2 Толщина мкм 500±25 500±25 500±25
3.3 Ориентация выемки o [1-100]±5° [1-100]±5° [1-100]±5°
3.4 Глубина выемки мм 1~1.25 1~1.25 1~1.25
3.6 L TV мкм ≤3 мкм (5*5 мм) ≤5 мкм (5*5 мм) ≤10 мкм (5*5 мм)
3.5 T TV мкм ≤5 ≤10 ≤15
3.7 Bow мкм -25~25 -35~35 -45~45
3.8 Деформация мкм ≤35 ≤45 ≤55
3.9 Фронтальная шероховатость нм Ra≤0.2 нм (5*5 мкм) Ra≤0.2 нм (5*5 мкм) Ra≤0.2 нм (5*5 мкм)
4 Структура
4.1 Плотность микротрубок шт/см ≤1 ≤10 ≤15
4.2 Плотность углеродных включений шт/см² ≤1 NA NA
4.3 Гексагональный зазор Нет NA NA
4.4 Металические примеси атомов/см² ≤5E12 ≤5E12 NA
5 Фронтальное качество
5.1 Фронтальная часть Si Si Si
5.2 Полировка Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP
5.3 Частицы шт/пластина ≤60 размер≥0.3 мкм) NA NA
5.4 Царапины шт/мм ≤5，≤Диаметр
(Совокупной длины)		 ≤2*Диаметр
(Совокупной длины)		 NA
5.5 Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения Нет Нет NA
5.6 Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины Нет Нет Нет
5.7 Политипные области Нет ≤20% (Совокупной площади) ≤30% (Совокупной площади)
5.8 Лазерная маркировка фронтальной части Нет Нет Нет
6 Качество обратной части
6.1 Полировка обратной части C CMP C-face CMP C CMP C-face CMP C CMP C-face CMP
6.2 Царапины шт/мм ≤5，≤2*Диаметр (Совокупной длины) NA NA
6.3 Дефекты обратной части (сколы/вмятины на кромке) — Нет Нет Нет
6.4 Шероховатость обратной части нм Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2(5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5 Лазерная маркировка обратной части — SEMI SEMI SEMI
7 Кромка
7.1 Кромка Фаска Фаска Фаска
8 Паковка
8.1 Паковка Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2 Паковка Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

 

Свойства 4-дюймовых пластин SiC типа N

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет
1 Параметры кристала
1.1 Политип 4H 4H 4H
1.2 Погрешность ориентации поверхности <11-20>4±0.15 <11-20>4±0.15 <11-20>4±0.15
2 Электрические параметры
2.1 Легирование n-тип Азот n-тип Азот n-тип Азот
2.2 Удельное сопротивление Ом см 0.015~0.025 0.015~0.025 0.015~0.025
3 Механические параметры
3.1 Диаметр мм 99.5~100 99.5~100 99.5~100
3.2 Толщина мкм 350±25 350±25 350±25
3.3 Первичная плоская ориентация o [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Первичная плоская длина мм 32.5±1.5 32.5±1.5 32.5±1.5
3.5 Вторичная плоскость 90±5° 90±5° 90±5°
3.6 Длина вторичной плоскости мм 18±1.5 18±1.5 18±1.5
3.8 LTV мкм ≤2(5*5 мм) ≤5(5*5 мм) NA
3.7 TTV мкм ≤5 ≤10 ≤20
3.9 Bow мкм -15~15 -35~35 -45~45
3.10 Деформация мкм ≤20 ≤45 ≤50
3.11 (AFM) Фронтальная часть (Si-face)
Шероховатость		 нм Ra≤0.2(5*5 мкм) Ra≤0.2(5*5 мкм) Ra≤0.2(5*5 мкм)
4 Структура
4.1 Плотность микротрубок шт/см² ≤1 ≤5 ≤10
4.2 Металические примеси атомов/см ≤5E10 ≤5E10 NA
4.3 BPD шт/см² ≤2000 ≤3000 NA
4.4 TSD шт/см ≤500 ≤1000 NA
5 Фронтальное качество
5.1 Фронтальная часть Si Si Si
5.2 Полировка Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP Si CMP Si-face CMP
5.3 Частицы шт/пластина ≤60 (размер ≥0.3 мкм) NA NA
5.4 Царапины шт/пластина ≤2, совокупная длина ≤Диаметр Совокупная длина ≤2*Диаметр NA
5.5 Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения Нет Нет NA
5.6 Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины Нет Нет NA
5.7 Политипные области Нет ≤20% ≤30%
5.7 Лазерная маркировка фронтальной части Нет Нет Нет
6 Качество обратной части
6.1 Полировка обратной части Полированная поверхность C Полированная поверхность C Полированная поверхность C
6.2 Царапины шт/мм ≤5,Совокупная длина ≤2*Диаметр NA NA
6.3 Дефекты обратной стороны (сколы / вмятины) Нет Нет Нет
6.4 Шероховатость обратной части нм Ra≤0.2(5*5 мкм) Ra≤0.2(5*5 мкм) Ra≤0.2(5*5 мкм)
6.5 Лазерная маркировка обратной части 1 мм (От верхней кромки) 1 мм (От верхней кромки) 1 мм (От верхней кромки)
7 Кромка
7.1 Кромка Фаска Фаска Фаска
8 Паковка
8.1 Паковка Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется. Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется. Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2 Паковка Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

 

Свойства 6-дюймовых пластин SiC типа N

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет
1 Параметры кристала
1.1 Политип 4H 4H 4H
1.2 Погрешность ориентации поверхности <11-20>4±0.15 <11-20>4±0.15 <11-20>4±0.15
2 Электрические параметры
2.1 Легирование n-тип Азот n-тип Азот n-тип Азот
2.2 Удельное сопротивление Ом-см 0.015~0.025 0.015~0.025 0.015~0.025
3 Механические параметры
3.1 Диаметр мм 150.0±0.2 150.0±0.2 150.0±0.2
3.2 Толщина мкм 350±25 350±25 350±25
3.3 Первичная плоская ориентация [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Первичная плоская длина Мм 47.5±1.5 47.5±1.5 47.5±1.5
3.5 Вторичная плоскость Мм Нет Нет Нет
3.6 LTV мкм ≤3 (5*5 мм) ≤5 (5*5 мм) ≤10 (5*5 мм)
3.7 TTV мкм ≤5 ≤10 ≤15
3.8 Bow мкм -25~25 -35~35 -45~45
3.9 Деформация мкм ≤35 ≤45 ≤55
3.10 (AFM) Фронтальная часть (Si-face)Шероховатость нм Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм)
4 Структура
4.1 Плотность микротрубок шт/см² <1 <10 <15
4.2 Металические примеси атомов/см ≤5E10 ≤5E10 NA
4.3 BPD шт/см ≤2000 ≤3000 NA
4.4 TSD шт/см² ≤500 ≤1000 NA
5 Фронтальное качество
5.1 Фронтальная часть Si Si Si
5.2 Полировка CMP Si-face CMP CMP Si-face CMP CMP Si-face CMP
5.3 Частицы шт/пластина ≤60 (размер ≥0.3 мкм) NA NA
5.4 Царапины шт/пластина ≤5, совокупная длина ≤Диаметр Совокупная длина ≤2*Диаметр NA
5.5 Ямки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения Нет Нет NA
5.6 Сколы/вмятины/трещины/шестигранные пластины Нет Нет Нет
5.7 Политипные области Нет ≤20% ≤30%
5.8 Лазерная маркировка фронтальной части Нет Нет Нет
6 Качество обратной части
6.1 Полировка обратной части Полированная поверхность C Полированная поверхность C Полированная поверхность C
6.2 Царапины шт/мм ≤5,Совокупная длина ≤2*Диаметр NA NA
6.3 Дефекты обратной части (сколы/вмятины на кромке) Нет Нет Нет
6.4 Шероховатость обратной части нм Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм) Ra≤0.2 (5*5 мкм)
6.5 Лазерная маркировка обратной части 1 мм (От верхней кромки) 1 мм (От верхней кромки) 1 мм (От верхней кромки)
7 Кромка
7.1 Кромка Фаска Фаска Фаска
8 Паковка
8.1 Паковка Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется. Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется. Внутренний пакет заполняется азотом, внешний пакет вакуумируется.
8.2 Паковка Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность Кассета для пластин, epi-готовность
Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неупомянутые пункты могут относиться к SEMI-STD.

 

Свойства 4-дюймовых слитков SiC типа N

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет Дата
1. Параметры слитка
1.1 Политип 4H *
1.2 Легирование n-тип Азот *
1.3 Удельное сопротивление Ом-см 0.015~0.025 *
1.4 Диаметр мм 100.25±0.25 #
1.5 Толщина мм ≥10 (Рис. 2) #
1.6 Погрешность ориентации поверхности 0 4°к <11-20>±0.2° (Рис. 1) #
1.7 Первичная плоская ориентация o [1-100]±5.0 (Рис. 4) *
1.8 Первичная плоская длина мм 32.5±1.5 (Рис. 3) #
1.9 Вторичная плоскость 0 90.0°CW от первичной ±5.0°, кремниевой частью вверх (Рис. 4) *
1.10 Длина вторичной плоскости мм 18±1.5 (Рис. 3) #
1.11 Плотность микротрубок шт/см² ≤0.5 ≤5 ≤10 *
1.12 BPD шт/см² ≤2000 ≤3000 *
1.13 TSD шт/см² ≤500 ≤1000 *
1.14 Краевые трещины шт ≤3,≤1 ≤5,≤1 ≤5,≤3 #
1.15 Политипные области — Нет ≤3% области ≤5% области *
1.16 Краевые вмятины шт ≤3,≤1 мм ширины и глубины ≤5,≤1мм ширины и глубины ≤5,≤2мм ширины и глубины #
2. Паковка
2.1 Этикетка C-поверхность (Рис. 5) *
2.2 Паковка — Кассета для слитков, вакуумная упаковка *
Примечания:* означает гарантированное значение. # означает фактически измеренное значение

 

Свойства 6-дюймовых слитков SiC типа N

 

No. Параметр Ед. Производство Исследование Макет Дата
1. Параметры слитка
1.1 Политип 4H *
1.2 Легирование n-тип Азот *
1.3 Удельное сопротивление Ом-см 0.015~0.025 *
1.4 Диаметр мм 150.25±0.25 #
1.5 Толщина мм ≥10 (Рис. 2) #
1.6 Погрешность ориентации поверхности 0 4°к <11-20>±0.2° (Рис. 1) #
1.7 Первичная плоская ориентация o [1-100]±5.0 (Рис. 4) *
1.8 Первичная плоская длина мм 47.5±1.5 (Рис. 3) #
1.9 Плотность микротрубок шт/см² ≤0.5 ≤5 ≤10 *
1.10 BPD шт/см² ≤2000 ≤3000 — *
1.11 TSD шт/см² ≤500 ≤1000 — *
1.12 Краевые трещины шт ≤3,≤1 мм/шт ≤5,≤1 мм/шт ≤5,≤3 мм/шт #
1.13 Политипные области Нет ≤3% области ≤5% области *
1.14 Краевые вмятины ea ≤3,≤1мм ширины и глубины ≤5,≤1мм ширины и глубины ≤5,≤2мм ширины и глубины #
2. Паковка
2.1 Этикетка C-поверхность (Рис. 5) *
2.2 Паковка Кассета для слитков, вакуумная упаковка *
Примечания:* означает гарантированное значение. # означает фактически измеренное значение

The post Пластины SiC OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/sicwafers/feed/ 0 Пластины фосфида индия (InP) OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/inpwafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=inpwafers https://wafers.cryotrade.ru/product/inpwafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 13:57:07 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4218 InP – важное соединение группы III-V и полупроводниковый материал, обладающий такими преимуществами, как высокая подвижность электронов, хорошая радиационная стабильность и широкая запрещённая зона.

The post Пластины фосфида индия (InP) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

InP – важное соединение группы III-V и полупроводниковый материал, обладающий такими преимуществами, как высокая подвижность электронов, хорошая радиационная стабильность и широкая запрещённая зона. Фосфид индия обладает особыми преимуществами в двух областях применения: фотонике (способность к излучению и детектированию в диапазоне длин волн более 1000 нм) и радиочастотах (высокоскоростная и малошумная работа в высокочастотных радио-приложениях). InP – наилучший выбор для нишевых рынков, ориентированных на производительность, в таких областях, как связь, радиолокация, испытательное оборудование и измерение радиации.

Компания OST Photonics предлагает пластины InP размером 2, 3 и 4 дюйма для телекоммуникационных и микроэлектронных приложений. На выбор предлагаются четыре типа InP: нелегированный, легированный S, легированный Zn и легированный Fe. Толщина варьируема соответствии с требованиями клиента. Кроме того, по запросу доступны подложки InP, изготовленные по индивидуальному заказу.

Сферы применения

 

  • Радиочастотная связь
  • Радиолокационные системы
  • Радиационная разведка
  • МЭМС

 

Преимущества

 

  • Высокая подвижность электронов
  • Хорошая радиационная стойкость
  • Ширина запрещённой зоны

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>
  • Размеры: 2”, 3”, 4”, 10×10, 10×5 мм и т. д.
  • Толщина: 350, 500, 600 мкм и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства

 

Параметр Значение
Легирование Нет Sn S Zn
Тип проведения N-type N-type N-type P-type
Концентрация носителей (см-3) 5×10^16 (5-20)x10^17 (1-10)x10^17 (1-20)x10^17
Подвижность (см2/V.s) ≥2×10^4 >2000 >2000 100-300
Плотность дислокации (см-2) <5×10^4 <5×10^4 <5×10^4 <5×10^4
Диаметр 2”, 3”
Толщина 500±25 мкм, и т.д.
Ориентация <100>±0.5°
Поверхность Полированная/Травлёная
Epi-готовность Да
Паковка Кассета или одинарный контейнер для пластин

The post Пластины фосфида индия (InP) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/inpwafers/feed/ 0 Пластины арсенида индия (InAs) OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/inaswafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=inaswafers https://wafers.cryotrade.ru/product/inaswafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 11:54:28 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4216 InAs, узкозонный полупроводник с высокой подвижностью электронов, малой эффективной массой и сильным спин-орбитальным взаимодействием, является идеальным материалом для производства высокоскоростных и маломощных электронных , инфракрасных оптоэлектронных устройств и устройств спинтроники. В последние годы применение одномерных нанопроволок InAs в исследованиях топологических квантовых вычислений привлекает особое внимание исследователей.

The post Пластины арсенида индия (InAs) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

InAs, узкозонный полупроводник с высокой подвижностью электронов, малой эффективной массой и сильным спин-орбитальным взаимодействием, является идеальным материалом для производства высокоскоростных и маломощных электронных , инфракрасных оптоэлектронных устройств и устройств спинтроники. В последние годы применение одномерных нанопроволок InAs в исследованиях топологических квантовых вычислений привлекает особое внимание исследователей.

Компания OST Photonics предлагает пластины InAs размером 2” и 3” для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагается четыре типа InAs: InAs N-типа (нелегированная), InAs N-типа (легированная оловом), InAs N-типа (легированная серой) и InAs P-типа (легированная цинком). Толщина варьируется в соответствии с требованиями клиента. Кроме того, по запросу доступны подложки InAs, изготовленные по индивидуальному заказу.

Сферы применения

 

  • Оптоволоконная связь
  • Высокоскоростные и маломощные электронные устройства
  • Инфракрасные светоизлучающие устройства
  • Квантовые каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона

 

Преимущества

 

  • Высокая подвижность электронов
  • Низкий магниторезистивный эффект
  • Малая эффективная масса
  • Низкий температурный коэффициент сопротивления

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>
  • Размеры: 2”, 3”, 4”, 10×10, 10×5 мм и т. д.
  • Толщина: 500 мкм и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу

 

Свойства

 

Параметр Значение
Легирование Нет Sn S Zn
Тип проведения N-type N-type N-type P-type
Концентрация носителей (см-3) 5×10^16 (5-20)x10^17 (1-10)x10^17 (1-20)x10^17
Подвижность (см2/V.s) ≥2×10^4 >2000 >2000 100-300
Плотность дислокации (см-2) <5×10^4 <5×10^4 <5×10^4 <5×10^4
Диаметр 2”, 3”
Толщина 500±25 мкм, и т.д.
Ориентация <100>±0.5°
Поверхность Полированная/Травлёная
Epi-готовность Да
Паковка Кассета или одинарный контейнер для пластин

The post Пластины арсенида индия (InAs) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/inaswafers/feed/ 0 Пластины германия OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/gewafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=gewafers https://wafers.cryotrade.ru/product/gewafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 10:59:50 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4213 Монокристаллические пластины германия - важный материал для подложек полупроводников. Эти высококачественные подложки в основном применяются в фотоэлектрических системах, солнечных батареях, космических аппаратах и в сверхъярких светодиодах.

The post Пластины германия OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Монокристаллические пластины германия — важный материал для подложек полупроводников. Эти высококачественные подложки в основном применяются в фотоэлектрических системах, солнечных батареях, космических аппаратах и в сверхъярких светодиодах.

Компания OST Photonics предлагает германиевые пластины с низкой плотностью ямок травления (EPD) или даже с нулевой EPD для полупроводниковой промышленности. Германиевые пластины поставляются с диаметром от 2 до 6 дюймов и удельным сопротивлением от 0.005 до более 50 Ом·см. Высококачественные германиевые подложки используются в концентраторных фотоэлектрических станциях (CPV), космических солнечных батареях и сверхярких светодиодах. Кроме того, по запросу доступны германиевые подложки, изготовленные по индивидуальному заказу.

Сферы применения

 

  • Инфракрасные оптические устройства
  • Полупроводниковые устройства
  • Бытовая электроника
  • Солнечные батареи

 

Преимущества

 

  • Отличная обрабатываемость
  • Коррозионная устойчивость
  • Стабильные химические свойства
  • Высокая подвижность дырок и электронов
  • Малая ширина запрещённой зоны

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>, <110>, <111>
  • Размеры: 2”, 3”, 4”, 6”, 10×5, 10×10, 15×15, 20×15, 20×20 мм
  • Толщина: 330, 430, 500 мкм и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки, слитки и оптика на заказ.

Свойства

 

Параметр Значение
Метод выращивания кристаллов CZ
Тип проведения N-type P-type /
Легирование As,Sb Ga нет
Диаметр 2″, 3″, 4″, 6″
Ориентация <100>±0.5°,<110>±0.5°,<111>±0.5°
Толщина 330, 430, 500 мкм, и т.д.
Удельное сопротивление (Ом. см) 0.005-30 0.005-0.04 >35
Плотность ямок травления (EPD) (/см2) <300 <300 <4000
TTV (мкм) ≤15 ≤15 ≤15
Warp (мкм) ≤25 ≤25 ≤25
Ra задней стороны (мкм) <0.1 <0.1 <0.1
Полировка поверхности E/E, P/E, P/D
Epi-готовность Да
Паковка Кассета или одинарный контейнер для пластин

The post Пластины германия OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/gewafers/feed/ 0 Пластины антимонида галлия (GaSb) OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/gasbwafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=gasbwafers https://wafers.cryotrade.ru/product/gasbwafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 10:45:06 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4210 Монокристаллы GaSb могут применяться в качестве подложки благодаря тому, что их постоянные решетки совпадают с постоянными решетки различных тройных и четверных соединений AIIIBV с шириной запрещенной зоны в спектральном диапазоне 0.8–4.3 мкм.

The post Пластины антимонида галлия (GaSb) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Монокристаллы GaSb могут применяться в качестве подложки благодаря тому, что их постоянные решетки совпадают с постоянными решетки различных тройных и четверных соединений AIIIBV с шириной запрещенной зоны в спектральном диапазоне 0.8–4.3 мкм. Ограниченная подвижность кристаллической решетки GaSb выше, чем у GaAs, что делает кристалл GaSb перспективным материалом для применения в производстве СВЧ-устройств. Методы выращивания кристаллов GaSb: LEC, VGF и VBG.

Компания OST Photonics предлагает пластины GaSb размером 2” и 3” для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются три типа GaSb: нелегированный GaSb, GaSb N-типа (легированный теллуром) и GaSb P-типа (легированный цинком). Толщина может варьироваться в соответствии с вашими требованиями. Кроме того, по запросу доступны подложки GaSb, изготовленные по индивидуальному заказу.

Сферы применения

 

  • Оптическая связь
  • TPV-ячейки
  • Инфракрасные детекторы
  • Инфракрасные лазерные устройства

 

Преимущества

 

  • Низкое энергопотребление
  • Высокая подвижность электронов
  • Широкий спектр покрытия
  • Регулируемая ширина полосы пропускания

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>
  • Размеры: 2”, 3”, 10×10, 10×5 мм и т. д.
  • Толщина: 500, 600 мкм и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства

 

Параметр Значение
Легирование Нет Zn Te
Тип проводимости P-type P-type N-type
Концентрация носителей (см-3) (1-2)x10^17 (5-100) x10^17 (1-20)x10^17
Подвижность (см2/V.s) 600-700 200-500 2000-3500
Плотность дислокаций (см-2) <1×10^4 <1×10^4 <1×10^4
Диаметр 2”, 3”
Толщина 500±25, 600±25 мкм, и т.д.
Ориентация <100>±0.5°
Поверхность Полированная / Травлёная
Epi-готовность Да
Паковка Кассета или одинарный контейнер для пластин

The post Пластины антимонида галлия (GaSb) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/gasbwafers/feed/ 0 Пластины нитрида галлия (GaN) OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/ganwafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=ganwafers https://wafers.cryotrade.ru/product/ganwafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 10:16:44 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4207 Нитрид галлия относится к третьему поколению полупроводниковых материалов с гексагональной структурой вюрцита. Он обладает такими характеристиками, как большая ширина запрещённой зоны, высокая теплопроводность и термостойкость, радиационная устойчивость, кислото- и щелочестойкость, высокая прочность и твёрдость.

The post Пластины нитрида галлия (GaN) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Нитрид галлия относится к третьему поколению полупроводниковых материалов с гексагональной структурой вюрцита. Он обладает такими характеристиками, как большая ширина запрещённой зоны, высокая теплопроводность и термостойкость, радиационная устойчивость, кислото- и щелочестойкость, высокая прочность и твёрдость. Пластины GaN обладают широким потенциалом применения и хорошими рыночными перспективами в области производства синих, зелёных, фиолетовых и белых светодиодов высокой яркости, синих и фиолетовых лазеров, а также радиационно-защищённых, высокотемпературных и высокомощных СВЧ-устройств.

Компания OST Photonics предлагает отдельные пластины GaN размером 2” и 4” для полупроводниковой промышленности. На выбор предлагаются два типа GaN: N-типа и полуизолирующие. По запросу также доступны подложки GaN, изготовленные по индивидуальному заказу, и эпитаксиальный GaN на сапфировой подложке.

Сферы применения

 

  • Высокотемпературные полупроводниковые приборы
  • Высокочастотные и высокомощные электронные приборы
  • Приборы на основе МОП-транзисторов
  • Сверхъяркие светодиоды

 

Преимущества

 

  • Большая ширина прямой запрещенной зоны
  • Прочные атомные связи
  • Высокая теплопроводность
  • Высокая устойчивость к облучению

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: C-плоскость (0001)
  • Размеры: 2”, 4”, 10×10.5, 14×15, 10×15 мм и т. д.
  • Толщина: 300, 350, 400 мкм и т. д.
  • Доступные изделия: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства

 

Параметр Значение
Диаметр 2”, 4”
Толщина 300±25, 350±25, 400±25 мкм и т.д.
Ориентация C-плоскость (0001)±0.5°
Тип проводимости N-type Полуизоляционный
Удельное сопротивление (Ом. см) <0.5 >1×10^6
Концентрация дефектов Марко (см-2) 0 либо <=2
TTV (мкм) <=15
BOW (мкм) <=20
Плотность дислокаций (см-2) <5×10^6
Полезная площадь поверхности > 90%
Обработка поверхности Передняя поверхность: Ra < 0.2 нм (полировка Epi-ready)

Задняя поверхность: Тонкая шлифовка
Паковка Упаковано в чистых помещениях класса 100 с азотной атмосферой, в отдельные контейнеры для пластин.

The post Пластины нитрида галлия (GaN) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/ganwafers/feed/ 0 Пластины арсенида галлия (GaAs) OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/gaaswafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=gaaswafers https://wafers.cryotrade.ru/product/gaaswafers/#respond Mon, 14 Jul 2025 09:46:02 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4204 Арсенид галлия это полупроводниковый материал с превосходными эксплуатационными характеристиками, такими как: ширина запрещённой зоны, высокая подвижность электронов, низкий уровень шума на высоких частотах и высокая эффективность преобразования.

The post Пластины арсенида галлия (GaAs) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Арсенид галлия это полупроводниковый материал с превосходными эксплуатационными характеристиками, такими как: ширина запрещённой зоны, высокая подвижность электронов, низкий уровень шума на высоких частотах и высокая эффективность преобразования. Радиочастотные устройства, изготовленные с использованием подложек из GaAs, широко применяются в беспроводных коммуникационных системах, включая беспроводные сети (WLAN), мобильную связь, базовые станции 4G/5G, спутниковую связь и Wi-Fi. С развитием мини- и микро-светодиодов красные светодиоды, изготовленные с использованием подложек из GaAs, всё чаще используются в дисплеях и в дополненной и виртуальной реальности (AR/VR).

Компания OST Photonics предлагает пластины GaAs размером 2”, 3”, 4” и 6”, выращенные по технологии VGF/LEC. На выбор предлагается пять типов GaAs: полуизолирующий GaAs (нелегированный), N-типа GaAs (легированный Si), полуизолирующий GaAs (легированный Cr), N-типа GaAs (легированный Te) и P-типа GaAs (легированный Zn). Толщина может быть изменена в соответствии с вашими требованиями. Кроме того, по запросу доступны подложки GaAs, изготовленные по индивидуальному заказу.

Сферы применения

 

  • Беспроводная связь
  • Красные светодиоды
  • Спутниковая связь
  • Монолитные СВЧ-интегральные схемы (MMIC) для сетей 5G
  • Радиочастотные интегральные схемы (RFIC)

 

Преимущества

 

  • Запрещенная зона с прямыми переходами
  • Высокая подвижность электронов
  • Низкий уровень шума на высоких частотах
  • Высокая эффективность преобразования

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>
  • Размеры: 2”, 3”, 4”, 6”, 25×25, 10×10, 10×5, 5×5 мм и т. д.
  • Толщина: 350, 500, 650 и т. д.
  • Доступные исполнения: пластины, подложки, заготовки и изделия по индивидуальному заказу

Свойства

 

Параметр Значение
Тип проводимости N-type P-type Полуизоляционный Полуизоляционный N-type
Метод выращивания кристаллов VGF VGF/LEC VGF/LEC LEC
Легирование Si Zn Нелегирована Cr Te
Концентрация носителя (/см3) (0.4-4) ×10^18 (0.5-5) ×10^19 (0.4-4.4) ×10^8 — (1-2) ×10^17
Удельное сопротивление (Ом. см) (1.2-9.9) ×10^-3 — >1×10^7 >5×10^7 (0.74-1.05) ×10^-2
Подвижность (см2/v.s) >1000 50-120 >4000 5500-6000 >1500
Плотность ямок травления (EPD) (/см2) <5000 <5000 <5000 <5000 <10000
Размеры 2”, 3”, 4”, 6”
Ориентация пластины <100>±0.5°
OF/IF US, EJ или вырез
Лазерная маркировка По запросу
Толщина 350, 500, 650 мкм, и т.д.
TTV(P/P) (мкм) ≤5
TTV(P/E) (мкм) ≤10
Деформация (мкм) ≤10
Поверхность Полированная/Травлёная
Готовность к Epi Да
Паковка Кассета или одинарный контейнер для пластин

The post Пластины арсенида галлия (GaAs) OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/gaaswafers/feed/ 0 Кремниевые пластины OST Photonics https://wafers.cryotrade.ru/product/siwafers/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=siwafers https://wafers.cryotrade.ru/product/siwafers/#respond Fri, 11 Jul 2025 12:49:54 +0000 https://wafers.cryotrade.ru/?post_type=product&p=4200 Компания OST Photonics предлагает широкий выбор кремниевых пластин для полупроводниковой промышленности. Диаметр пластин варьируется от 2 дюймов (50.8 мм) до 12 дюймов (300 мм) с тремя ориентациями кристаллов на выбор: <100>, <111> и <110>

The post Кремниевые пластины OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> Описание

Компания OST Photonics предлагает широкий выбор кремниевых пластин для полупроводниковой промышленности. Диаметр пластин варьируется от 2 дюймов (50.8 мм) до 12 дюймов (300 мм) с тремя ориентациями кристаллов на выбор: <100>, <111> и <110>. Толщина также может варьироваться в соответствии с требованиями клиента. Кроме того, по запросу доступны пластины оксидного кремния, изготовленные на заказ кремниевые подложки и кремниевые слитки.

Сферы применения

 

  • Интегральные схемы
  • Полупроводниковые приборы
  • Бытовая электроника
  • Подложки солнечных батарей

 

Преимущества

 

  • Низкая стоимость
  • Безопасность и не токсичность
  • Обрабатываемость
  • Возможность исполнений крупного размера

 

Производимые опции

 

  • Ориентация: <100>, <111>, <110> и т. д.
  • Размеры: 2”, 3”, 4”, 5”, 6”, 8”, 12”, 5×5 мм, 10×10 мм, 20×20 мм и т. д.
  • Толщина: 279, 380, 525, 625, 675, 725, 775, 500, 1000 мкм и т. д.

Свойства кремниевых пластин Чохральского (CZ)

 

Параметр Характеристики
Диаметр 2″ 3″ 4″ 5″ 6″ 8″ 12″
Класс Высший, тестовый, макетный
Метод выращивания CZ
Ориентация <100>,<111>,<110>, и т.д.
Тип / Легирующая примесь P-type / Борон, N-type / Фосфор, N-type / As, N-type / Sb
Толщина (мкм) 279 380 525 625 675 725 775
Допуск по толщине Стандарт ±25 мкм, Макс. возможности ±5 мкм ± 20 мкм ± 20 мкм
Удельное сопротивление (Ом-см) 0.001-100
Поверхность Полированная / Травленая, Полированная / Полированная, травлёная / Травленая, Шлифованная / Шлифованная
TTV (мкм) Стандарт < 10 мкм, Макс. возможности <5 мкм
Bow / Отклонение (мкм) Стандарт < 40 мкм, Макс. возможности <20 мкм <40 мкм <40 мкм
Частицы <10 @ 0.5 мкм; <10 @ 0.3 мкм; <10 @ 0.2 мкм

 

Свойства кремниевых пластин с плавающей зоной (FZ)

 

Параметры Характеристики
Диаметр 2″ 3″ 4″ 5″ 6″ 8″
Класс Высший, тестовый, макетный
Метод выращивания FZ
Ориентация <100>,<111>, и т.д.
Тип / Легирующая примесь Собственная, P-type / Бор, N-type / Фосфор
Толщина (мкм) 279 380 525 625 675 725
Допуск по толщине Стандарт ±25 мкм ± 50 мкм
Удельное сопротивление (Ом-см) 1000-30000 и 1-5
Поверхность Полированная / Травленая, Полированная / Полированная, травлёная / Травленая, Шлифованная / Шлифованная
TTV (мкм) Стандарт < 10 мкм
Bow / Отклонение (мкм) Стандарт < 40 мкм <50 мкм
Частицы <10 @ 0.3 мкм

 

Свойства пластин оксида кремния

 

Параметр Характеристика
Димаетр 2″ 3″ 4″ 5″ 6″ 8” 12”
Класс Высший, тестовый, макетный
Метод выращивания CZ, FZ
Ориентация <100>,<111>,<110>, и т.д.
Тип / Легирующая примесь Собственная, P-type / Борон, N-type / Фосфор, N-type / As, N-type / Sb
Толщина (мкм) 279 380 525 625 675 725 775
Допуск по толщине Стандарт ±25 мкм, Макс. возможности ±5 мкм ± 20 мкм ± 20 мкм
Толщина оксида (нм) 20-2000
Удельное сопротивление (Ом-см) 0.001-30000
Поверхность Полированная / Травленая, Полированная / Полированная
TTV (мкм) Стандарт < 10 мкм, Макс. возможности<5 мкм
Bow / Отклонение (мкм) Стандарт < 40um, Макс. возможности <20 мкм <40 мкм <40 мкм
Частицы <10 @ 0.5 мкм; <10 @ 0.3 мкм; <10 @ 0.2 мкм

 

Свойство кремниевых слитков

 

Параметр Характеристика
Димаетр 2″ 3″ 4″ 5″ 6″ 8″
Класс Высший, тестовый, макетный
Метод выращивания CZ, FZ
Ориентация <100>,<111>,<110>, и т.д.
Тип / Легирующая примесь Собственная, P-type / Борон, N-type / Фосфор, N-type / As, N-type / Sb
Содержание кислорода 8-18 ppma
Содержание углерода >1 ppma
Удельное сопротивление (Ом-см) 0.001-30000 Ом-см
Время распада >50 мкс

The post Кремниевые пластины OST Photonics first appeared on wafers: Фотоника.

]]> https://wafers.cryotrade.ru/product/siwafers/feed/ 0